সিলিকন এবং কার্বন ও উভয় পর্যায় সারণির ১৪ তম গ্রুপের চার যোজন ইলেকট্রন বিশিষ্ট পরমানু হলেও এদের মধ্যে মূল পার্থক্যটি হ'ল কার্বন রাসায়নিকভাবে অধাতুর মত আচরণ করে অন্যদিকে সিলিকন ধাতু ও অধাতুু উভয়ের মত আচরণ করে।
কার্বন ও সিলিকনের গঠন নিচের চিত্রে দেয়া হল
কোন ইলেকট্রন নিউক্লিয়াসের যত কাছাকাছি থাকে তা মুক্তভাবে চলাচল করতে হলে তত বেশি শক্তি সরবরাহ করা প্রয়োজন। কার্বন দুই শক্তিস্তর বিশিষ্ট পরমানু অন্যদিকে সিলিকন তিন শক্তিস্তর বিশিষ্ট পরমানু। ফলে সিলিকনের শেষ কক্ষপথের ইলেকট্রনগুলোর প্রতি নিউক্লিয়াসের আকর্ষণ তুলনামূলক দুর্বল থাকে। সিলিকনের ভ্যালেন্স ইলেকট্রনগুলি অল্প শক্তি প্রয়োগেই কন্ডাকশনে যায়। অন্যদিকে হীরার (কার্বনের) ব্যান্ড গ্যাপ বেশি হওয়ার কারণে এটি ৩০০-৪০০ ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড তাপমাত্রায় কন্ডাকশনে যায়।
পদার্থের ব্যান্ড তত্ত্ব অনুযায়ী যেসকল পদার্থের এনার্জি গ্যাপ 0.6eV থেকে 3.4eV পর্যন্ত সে সকল পদার্থ অর্ধপরিবাহী বা সেমিকন্ডাক্টর হিসাবে পরিচিত। আর কার্বনের ফরবিডেন এনার্জি গ্যাপ 5.5eV যা উল্লেখ্য স্তরে পরেনা। এটি উচ্চ ব্যান্ড গ্যাপ বিশিষ্ট পদার্থ। এদিক থেকে সিলিকনের এনার্জি গ্যাপ 1.1 ইলেকট্রন ভোল্ট।
ব্যতিক্রম: কার্বনের কিছু রূপভেদ যেমন গ্রাফেন, গ্রাফাইট উন্নত পরিবাহী হিসেবে আচরণ করে।
কোন মন্তব্য নেই:
একটি মন্তব্য পোস্ট করুন